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    導入采用IC基板的類基板手機HDI技術

    文章來源:作者:鄧靈芝 查看手機網址
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    人氣:5872發布日期:2017-06-22 09:33【

    繼全面導入任意層高密度連接板,據了解,為了有利大量導入系統級封裝(SiP)技術,來達到次系統模塊化的目標,蘋果今年推出的iPhone 8將不再使用普及的高密度連結板,而是改為以IC基板技術生產的類基板(substrate-like)手機HDI。

    事實上,蘋果一直致力于手機內建SiP次系統模塊的發展,iPhone 6中內建3個SiP次系統模塊,iPhone 7增加至6個SiP次系統模塊,一般預料iPhone 8手機將搭載更多SiP次系統模塊,因此從HDI板改成類基板HDI,以加快導入SiP技術是合理的發展方向。蘋果的iPhone 8會將原本的一大片傳統HDI板拆解成4小塊類基板HDI,除了可加快導入SiP技術,還可空出更大空間來增加電池容量。

    為了要配合SiP技術,類基板HDI的電路板線距線寬將朝向細間距(fine pitch)方向發展,特別是線距線寬必須微縮到35微米以下,這是與HDI板的最大不同之處。也因為線距線寬的微縮程度極大,因此傳統印刷電路板HDI制程已經不敷所需,類基板手機HDI必須采用半導體的IC基板制程生產。

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